30V/80A增強型NMOS 80N03 MOSFET供應(yīng)商 大功率MOS
MOSFET供應(yīng)商 80N03的引腳圖：
MOSFET供應(yīng)商 80N03的應(yīng)用：
電池保護
負載開關(guān)
不間斷電源
MOSFET供應(yīng)商 80N03的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 160 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 144.7 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 53.8 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 43.4 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 1.67 | ||
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 75 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.88 |
MOSFET供應(yīng)商 80N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 3.3 | 4 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 5.5 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 31.6 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6.07 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13.8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 3075 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 400 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 315 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 11.2 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 49 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 35 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 7.8 |
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