功率器件MOS管 80N03 PDFN5X6-8L 30V低壓MOS 場(chǎng)效應(yīng)管中文資料
功率器件MOS管 80N03的引腳配置圖：
功率器件MOS管 80N03的特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)＜4mΩ@VGS=10V
封裝：PDFN5X6-8L
功率器件MOS管 80N03的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
功率器件MOS管 80N03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDSS：30V
柵極-源極電壓 VGSS：±20V
漏極電流-連續(xù) (TC=25℃)ID：80A
漏極電流-連續(xù) (TC=100℃)ID：65A
漏極電流-脈沖 IDM：400A
單脈沖雪崩能量 EAS：320mJ
雪崩電流 IAS：45.8A
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
總耗散功率(TC=25℃) PD：88W
總耗散功率(TA=25℃) PD：44W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：58℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：2.3℃/W
功率器件MOS管 80N03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=24A | 2.9 | 4 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=12A | 5.3 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 42 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2200 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 280 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 177 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 12.6 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 19.5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 42.8 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 13.2 |
功率器件MOS管 80N03的封裝外形尺寸圖：
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