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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片國產(chǎn)MOS管 80N03 TO-252
貼片國產(chǎn)MOS管 80N03 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號(hào):80N03
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:貼片國產(chǎn)MOS管 80N03 TO-252 鋰電保護(hù)用MOS管 大功率場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片國產(chǎn)MOS管 80N03 TO-252 鋰電保護(hù)用MOS管 大功率場效應(yīng)管



鋰電保護(hù)用MOS管 80N03的符號(hào)圖:

blob.png



鋰電保護(hù)用MOS管 80N03的應(yīng)用:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源



鋰電保護(hù)用MOS管 80N03的極限參數(shù):

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號(hào)參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)80A
漏極電流-連續(xù)(TC=75℃)50
IDM漏極電流-脈沖240
EAS單脈沖雪崩能量56mJ
IAS雪崩電流15A
PD總耗散功率 TC=25℃46W
總耗散功率 TA=25℃2.72
TSTG存儲(chǔ)溫度-55~175
TJ工作結(jié)溫-55~175
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻2.72



鋰電保護(hù)用MOS管 80N03的電特性:

(如無特殊說明,Tj=25℃)

符號(hào)
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3032
V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=10V,ID=30A


46.5

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=20A


6.18.5
VGS(th)
柵極開啟電壓11.62.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=30V,VGS=0V



1μA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
33.7
nC
Qgs柵源電荷密度
8.5
Qgd柵漏電荷密度
7.5
Ciss輸入電容
1614
pF
Coss輸出電容
245
Crss反向傳輸電容
215
td(on)開啟延遲時(shí)間
7.5
ns
tr開啟上升時(shí)間
14.5
td(off)關(guān)斷延遲時(shí)間
35.2
tf
開啟下降時(shí)間
9.6



鋰電保護(hù)用MOS管 80N03的封裝外形尺寸:

blob.png


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