功率器件MOSFET 60N03 貼片場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格 MOS管60N03替換
功率器件MOSFET 60N03的引腳圖：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
功率器件MOSFET 60N03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 60 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 110 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 57.8 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 34 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 41 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2.42 | ||
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~175 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.6 |
功率器件MOSFET 60N03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 7.5 | 8.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 11 | 14 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12.6 | 17.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.2 | 5.9 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.1 | 7.1 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 1317 | 1843 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 163 | 228 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 131 | 183 | ||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 4.6 | 9.2 | ns | |
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 12.2 | 22 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 26.6 | 53 | ||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 8 | 16 |
功率器件MOSFET 60N03的封裝外形尺寸圖：
1、TO-252：
2、TO-251：
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