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產(chǎn)品分類

Product Categories
N溝道MOSFET 60N03 PDFN3X3-8L
N溝道MOSFET 60N03 PDFN3X3-8L
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：60N03
產(chǎn)品封裝：PDFN3X3-8L
產(chǎn)品標題：N溝道MOSFET 60N03 PDFN3X3-8L 低內(nèi)阻場效應管 MOS管60N03
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


N溝道MOSFET 60N03 PDFN3X3-8L 低內(nèi)阻場效應管 MOS管60N03



N溝道MOSFET 60N03的引腳配置圖：

blob.png



N溝道MOSFET 60N03的應用：

  • 鋰電池保護

  • 手機快速充電



N溝道MOSFET 60N03的極限值：

(如無特殊說明，TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓30V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)60A
IDM漏極電流-脈沖92
EAS單脈沖雪崩能量57.8mJ
IAS雪崩電流34A
PD總耗散功率 TC=25℃29W
總耗散功率 TA=25℃1.67
TSTG存儲溫度-55~150℃
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環(huán)境的熱阻75℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻4.32



N溝道MOSFET 60N03的電特性：

(如無特殊說明，Tj=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=10V,ID=12A


78.5mΩ

靜態(tài)漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=10A


1013
VGS(th)
柵極開啟電壓1
2.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
12.8
nC
Qgs柵源電荷密度
3.3
Qgd柵漏電荷密度
6.5
Ciss輸入電容
1317

pF
Coss輸出電容
163
Crss反向傳輸電容
131
td(on)開啟延遲時間
4.5
ns
tr開啟上升時間
10.8
td(off)關斷延遲時間
25.5
tf
開啟下降時間
9.6



N溝道MOSFET 60N03的封裝外形尺寸：

blob.png


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