國(guó)產(chǎn)MOS管替換 40N03 SOP-8 低壓MOS管 30V增強(qiáng)型NMOS
低壓MOS管 40N03的特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=40A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V
封裝：SOP-8
低壓MOS管 40N03的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
低壓MOS管 40N03的極限值：
低壓MOS管 40N03的極限值：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 40 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 8.2 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 82 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 61 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 35 | A |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 36 |
低壓MOS管 40N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 7.5 | 9 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 11 | 14 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 12.6 | 17.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.2 | 5.9 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.1 | 7.1 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 1317 | 1845 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 163 | 228.2 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 131 | 183.4 | ||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 6.2 | 12.4 | ns | |
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 59 | 106 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 27.6 | 55 | ||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 8.4 | 16.8 |
低壓MOS管 40N03的封裝外形尺寸：
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