小封裝MOS管 80N02 PDFN3X3-8L 20V低壓場(chǎng)效應(yīng)管
小封裝MOS管 80N02的引腳圖：
小封裝MOS管 80N02的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
小封裝MOS管 80N02的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 80 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 39 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 200 | |
| PD | 總耗散功率 | 83 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 80 | mJ |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.5 | ℃/W |
小封裝MOS管 80N02的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 1.05 | 1.5 | 2 | mΩ |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=20A | 1.4 | 2 | 2.7 | ||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.4 | 1 | V | |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=125℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±10 | uA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 77 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 14 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4307 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 501 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 321 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 10.2 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 11.7 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 56.4 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 16.2 |
小封裝MOS管 80N02的封裝外形尺寸：
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