大功率MOS管 60N02 20V/60A場(chǎng)效應(yīng)管 低壓MOS供應(yīng)商
大功率MOS管 60N02的特點(diǎn)：
VDS=20V
ID=60A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=4.5V
封裝：DFN3X3-8L
大功率MOS管 60N02的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
大功率MOS管 60N02的管腳圖：
大功率MOS管 60N02的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 60 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 42 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 210 | |
| PD | 總耗散功率 | 60 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 200 | mJ |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.1 | ℃/W |
大功率MOS管 60N02的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 4.8 | 6 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=15A | 6.2 | 9 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.5 | 0.75 | 1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 27 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 500 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 200 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 6.4 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 17.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 29.6 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 16.8 |
大功率MOS管 60N02的參數(shù)特性曲線(xiàn)圖：
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