國產(chǎn)MOS管替代 3N10 SOT-23 小封裝MOSFET型號 100VN溝道MOS管
國產(chǎn)MOS管替代 3N10的應用：
電池保護
負載開關(guān)
不間斷電源
國產(chǎn)MOS管替代 3N10的管腳排列圖：
國產(chǎn)MOS管替代 3N10的極限參數(shù)：
(除非有特殊要求，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | 2.8 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=70℃ | 1 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 5 | |
| PD | 總耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 722 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 80 |
國產(chǎn)MOS管替代 3N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=1A | 260 | 310 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A | 270 | 320 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=25℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨導 | 2.4 | S | ||
| Qg | 柵極總電荷 | 9.7 | 13.6 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.6 | 2.2 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.7 | 2.4 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 508 | 711 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 29 | 41 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 16.4 | 23 | ||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 1.6 | 3.2 | ns | |
| tr | 開啟上升時間 | 19 | 34 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 13.6 | 27 | ||
| tf | 開啟下降時間 | 19 | 38 |
國產(chǎn)MOS管替代 3N10的封裝外形尺寸：
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