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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片場效應(yīng)管型號 20N02 TO-252
貼片場效應(yīng)管型號 20N02 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:20N02
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:場效應(yīng)管20N02 TO-252 MOS管型號大全 20N02 MOS管引腳
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


場效應(yīng)管20N02 TO-252 MOS管型號大全 20N02 MOS管引腳



MOS管型號大全 20N02的特點:

  • VDS=20V

  • ID=20A

  • RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V

  • 封裝:TO-252



MOS管型號大全 20N02的應(yīng)用:

  • 太陽能路燈

  • 負載開關(guān)

  • 不間斷電源



MOS管型號大全 20N02的電特性:

(如無特殊要求,TC=25℃)

符號參數(shù)數(shù)值單位
VDS漏極-源極電壓20V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(xù)20A
IDM漏極電流-脈沖50
PD總耗散功率 TC=25℃20.8W
總耗散功率 TA=25℃2
EAS單脈沖雪崩能量8.1mJ
IAS雪崩電流12.7A
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結(jié)溫-55~150
RθJA結(jié)到環(huán)境的熱阻62℃/W
RθJC
結(jié)到管殼的熱阻6



MOS管型號大全 20N02的電特性:

(如無特殊要求,TJ=25℃)

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2022
V
RDS(ON)

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=7.6A


1215

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=2.5V,ID=3.5A


15.520

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=1.8V,ID=2.5A


20.535
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.651V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=20V,VGS=0V



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
11.05
nC
Qgs柵源電荷密度
1.73
Qgd柵漏電荷密度
3.1
Ciss輸入電容
888
pF
Coss輸出電容
133
Crss反向傳輸電容
117
td(on)開啟延遲時間
7
ns
tr開啟上升時間
46
td(off)關(guān)斷延遲時間
30
tf
開啟下降時間
52



MOS管型號大全 20N02的封裝外形尺寸圖:

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