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產(chǎn)品分類

Product Categories
N溝道MOS管 60N02 TO-252
N溝道MOS管 60N02 TO-252
產(chǎn)品品牌:宇芯微
產(chǎn)品類型:中低壓MOS管
產(chǎn)品型號:60N02
產(chǎn)品封裝:TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題:60N02 TO-252 電池保護(hù)用MOS管 低壓場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


60N02 TO-252 電池保護(hù)用MOS管 低壓場效應(yīng)管



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低壓場效應(yīng)管 60N02的應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源



低壓場效應(yīng)管 60N02的極限值(除非有特殊要求,TC=25℃):

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDS
20V
柵極-源極電壓VGS±12

漏極電流-連續(xù) (TA=25℃)

ID60A

漏極電流-連續(xù) (TA=70℃)

42

漏極電流-脈沖

IDM210
功耗 (TA=25℃)PD
57W
雪崩能量
EAS56.2mJ
結(jié)溫,存儲溫度范圍TJ,TSTG-50~175



低壓場效應(yīng)管 60N02的電特性(除非有特殊要求,TC=25℃):

符號
參數(shù)MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2024
V
RDS(ON)

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=4.5V,ID=30A


4.15.5

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻

VGS=2.5V,ID=20A


7.49
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.71.2V
IDSS

零柵壓漏極電流



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
32
nC
Qgs柵源電荷密度
3
Qgd柵漏電荷密度
11
Ciss輸入電容
2500
pF
Coss輸出電容
407
Crss反向傳輸電容
386
td(on)開啟延遲時間
17
ns
tr開啟上升時間
49
td(off)關(guān)斷延遲時間
74
tf
開啟下降時間
26


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