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產(chǎn)品分類

Product Categories
N溝道MOS管 12N10 TO-252
N溝道MOS管 12N10 TO-252
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：中低壓MOS管
產(chǎn)品型號：12N10
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標題：貼片MOS管 12N10 TO-252 國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


貼片MOS管 12N10 TO-252 國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10



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國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 消費電子電源

  • 電機控制

  • 同步整流



國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的極限值：

  • 漏極-源極電壓 VDS：100V

  • 柵極-源極電壓 VGS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) ID：12A

  • 功耗 PD：17W

  • 雪崩能量 EAS：1.2mJ

  • 存儲溫度，結(jié)溫 Tstg，Tj：-55~+150℃



國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的電特性：

參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA100

V
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA1.5
2.5
柵極漏電流
IGSSVGS=±20V

±100nA
零柵壓漏極電流IDSSVDS=100V,VGS=0V

1uA
靜態(tài)漏源導通電阻RDS(ON)
VGS=10V,ID=5A
110140mΩ
VGS=4.5V,ID=3A
160300
輸入電容CissVGS=0V,VDS=50V,f=100KHz

206.1
pF
輸出電容Coss
28.9
反向傳輸電容Crss
1.4
開啟延遲時間td(on)

VGS=10V,VDS=50V

RG=2Ω,ID=5A


14.7
ns
開啟上升時間tr
3.5
關(guān)斷延遲時間td(off)
20.9
開啟下降時間tf
2.7
柵源電荷密度QgsVDS=50V,VGS=10V,ID=5A

1.5
nC
柵漏電荷密度Qgd
1.1



國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的封裝外形尺寸：

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