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產(chǎn)品分類

Product Categories
高壓功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
高壓功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
產(chǎn)品品牌：美國福斯特
產(chǎn)品類型：高壓功率MOS管
產(chǎn)品型號：FIR9N65LG
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：高壓功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 貼片MOSFET
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


高壓功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 貼片MOSFET



高壓功率MOS管 FIR9N65LG的引腳圖：

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高壓功率MOS管 FIR9N65LG的極限值：

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS650V
柵極-源極電壓VGSS+30
漏極電流-連續(xù)
ID9A
漏極電流-脈沖IDM18
功耗PD55W
結(jié)溫TJ+150℃
存儲溫度TSTG-55~+150



高壓功率MOS管 FIR9N65LG的電特性：

符號參數(shù)測試條件最小值典型值最大值單位
BVDSS
漏極-源極擊穿電壓VGS=0V,ID=250μA650

V
IDSS
零柵壓漏極電流VDS=650V,VGS=0V

10μA
RDS(ON)
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻
VGS=10V,ID=4.5A


1Ω
VGS(TH)柵極開啟電壓
VDS=VGS,ID=250μA
2
4V



高壓功率MOS管 FIR9N65LG的封裝外形尺寸：

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