貼片可控硅 BTB04 TO-252-2L 三象限雙向可控硅 晶閘管BTB04替換
三象限雙向可控硅 BTB04的產(chǎn)品腳位圖：
三象限雙向可控硅 BTB04的特點(diǎn)：
NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件
P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離
臺(tái)面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
工作結(jié)溫高，換向能力強(qiáng)
高電壓變化率 dV/dt
大電流變化率 dI/dt
符合 RoHS 規(guī)范
三象限雙向可控硅 BTB04的極限值(TCASE=25℃)：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態(tài)均方根電流 | 4 | A |
| ITSM | 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 | 40 | A |
| I2t | I2t 值 | 8 | A2s |
| dIT/dt | 通態(tài)電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 4 | A |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結(jié)溫 | -40~+125 | ℃ |
三象限雙向可控硅 BTB04的電特性：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | ||
| TW | SW | CW | |||
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | ≤5 | ≤10 | ≤35 | mA |
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | ||
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | V | ||
| IH | 維持電流 | ≤10 | ≤15 | ≤35 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | ≤10 | ≤25 | ≤50 | mA |
| 擎住電流 II | ≤15 | ≤30 | ≤60 | mA | |
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥20 | ≥40 | ≥400 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | ≤5 | ≤5 | μA |
| 斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM=VRRM,TJ=125℃ | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 | mA | |
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