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宇芯電子可控硅一站式解決方案提供商專注單向可控硅,雙向可控硅,國(guó)產(chǎn)可控硅,高壓可控硅,達(dá)林頓芯片等半導(dǎo)體器件的應(yīng)用服務(wù)。
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產(chǎn)品分類

Product Categories
貼片式可控硅 T435 TO-252
貼片式可控硅 T435 TO-252
產(chǎn)品品牌：宇芯微
產(chǎn)品類型：雙向可控硅
產(chǎn)品型號(hào)：T435
產(chǎn)品封裝：TO-252
產(chǎn)品標(biāo)題：600V/4A 貼片式可控硅 T435 TO-252 三端雙向可控硅 可控硅T435
咨詢熱線：0769-89027776

產(chǎn)品詳情


600V/4A 貼片式可控硅 T435 TO-252 三端雙向可控硅 可控硅T435



貼片式可控硅 T435的應(yīng)用領(lǐng)域：

        T435雙向可控硅應(yīng)用于：加熱控制器、馬達(dá)調(diào)速控制器、麻將機(jī)、攪拌機(jī)、直發(fā)器、面包機(jī)等家用電器。



貼片式可控硅 T435的極限值(TCASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VDRM/VRRM：600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 IT(RMS)：4A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 ITSM：30A

  • I2t值：5.1A2s

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dIT/dt：50A/μs

  • 門極峰值電流 IGM：4A

  • 門極峰值功率 PGM：4W

  • 門極平均功率 PG(AV)：1W

  • 存儲(chǔ)溫度 TSTG：-40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 Tj：-40~+125℃



貼片式可控硅 T435的電特性：

符號(hào)
參數(shù)數(shù)值單位
IGT
門極觸發(fā)電流≤35mA
VGT門極觸發(fā)電壓≤1.3V
VGD門極不觸發(fā)電壓≥0.2
IH維持電流≤35mA
IL擎住電流 I-III≤50
擎住電流 II≤60
dVD/dt
斷態(tài)電壓臨界上升率≥400V/μs
VTM通態(tài)壓降≤1.55V
IDRM/IRRM

斷態(tài)重復(fù)峰值電流

VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃

≤5μA

斷態(tài)重復(fù)峰值電流

VD=VDRM=VRRM,TJ=125℃

≤1mA


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