高壓可控硅 BT131 SOT-89-3L 四端雙向可控硅 1A貼片晶閘管
高壓可控硅 BT131的應(yīng)用領(lǐng)域：
BT131雙向可控硅應(yīng)用于：加熱控制器、彩燈控制器、電飯煲、燃?xì)恻c(diǎn)火器、電風(fēng)扇調(diào)速器等
高壓可控硅 BT131的極限值：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態(tài)均方根電流 | 1 | A |
| ITSM | 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 | 16 | |
| I2t | I2t值 | 1.28 | A2s |
| dIT/dt | 通態(tài)電流臨界上升率 | 50（I-II-III） | A/μs |
| 10（IV） | |||
| IGM | 門極峰值電流 | 2 | A |
| PGM | 門極峰值功率 | 5 | W |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 0.5 | |
| Tstg | 存儲(chǔ)溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結(jié)溫 | -40~+125 |
高壓可控硅 BT131的電特性：
| 符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 數(shù)值 | 單位 | ||
| D | E | |||||
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | VD=12V,IT=0.1A,Tj=25℃ | I-II-III | ≤3 | ≤5 | mA |
| IV | ≤5 | ≤10 | ||||
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | I-II-III-IV | ≤1.3 | V | ||
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | VD=VDRM,Tj=125℃ | ≥0.2 | |||
| IH | 維持電流 | VD=12V,IGT=0.1A,Tj=25℃ | I-II-III-IV | ≤5 | ≤5 | mA |
| IL | 擎住電流 | I-III-IV | ≤6 | ≤10 | ||
| II | ≤10 | ≤15 | ||||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | VD=67%VDRM,門極開(kāi)路 Tj=125℃ | ≥20 | ≥50 | V/μs | |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ITM=1.5A,tp=380μs | ≤1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電流 | VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | ≤5 | μA | |
| VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤100 | ≤100 | ||||
高壓可控硅 BT131的封裝外形尺寸：
網(wǎng)站首頁(yè)可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
