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產(chǎn)品分類

Product Categories
中低壓功率MOS管 FIR210N06PG TO-220
中低壓功率MOS管 FIR210N06PG TO-220
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號:FIR210N06PG
產(chǎn)品封裝:TO-220
產(chǎn)品標題:210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增強型場效應(yīng)管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增強型場效應(yīng)管



210A功率MOSFET FIR210N06PG的極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS60V
柵極-源極電壓VGS±20V

漏極電流-連續(xù)

ID210A

漏極電流-連續(xù)

TC=100℃

148
漏記電流-脈沖IDM840
單脈沖雪崩能量EAS1800mJ
功耗PD330W
工作結(jié)溫TJ
-55~175
存儲溫度范圍TSTG-55~175



210A功率MOSFET FIR210N06PG電特性:

(如無特殊說明,TA=25℃)

參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA6068
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=60V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態(tài)漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=40A

4
輸入電容Ciss

VDS=25V,VGS=0V,

F=1.0MHz


11000
pF
輸出電容Coss
1120
反向傳輸電容Crss
950
開啟延遲時間td(on)

VDD=30V,ID=2A,

RL=15Ω,RG=2.5Ω,

VGS=10V


40
nS
開啟上升時間tr
38
關(guān)斷延遲時間td(off)
140
開啟下降時間tf
60
柵極總電荷Qg

VDD=30V,ID=30A,

VGS=10V


250
nC
柵源電荷密度Qgs
48
柵漏電和密度Qgd
98


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