增強型N溝道場效應晶體管 FIR200N04PG TO-220 功率MOS管
FIR200N04PG的極限值：
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 40 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | |
| 漏極電流-連續(xù) | ID | 200 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 140 | ||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 790 | |
| 功耗 | PD | 260 | W |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1500 | mJ |
| 工作結溫和存儲溫度范圍 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
FIR200N04PG的電特性：
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 40 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=40V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=40A | 3.3 | 4.0 | mΩ | |
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V,ID=40A | 60 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=30V,VGS=0V,F=1.0MHz | 9600 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 890 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 530 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=30V,ID=1A VGS=10V,RGEN=2.5Ω | 21 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 37 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 75 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 40 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=30V,ID=30A,VGS=10V | 36 | nC | ||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 56 |
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