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產(chǎn)品分類

Product Categories
中低壓功率MOS管 FIR150N085ANFG TO-247
中低壓功率MOS管 FIR150N085ANFG TO-247
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號(hào):FIR150N085ANFG
產(chǎn)品封裝:TO-247
產(chǎn)品標(biāo)題:85V增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 FIR150N085ANFG TO-247 N溝道功率MOSFET
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


85V增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 FIR150N085ANFG TO-247 N溝道功率MOSFET



FIR150N085ANFG的極限值:

參數(shù)
符號(hào)數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS85V
柵極-源極電壓VGS±20
漏極電流-連續(xù)ID210A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃150
漏極電流-脈沖IDM850
功耗PD330W
單脈沖雪崩能量EAS
2200mJ
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍TJ,TSTG-55~175




FIR150N085ANFG的電特性:

參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA85

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=85V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±200nA
柵極開啟電壓VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(25℃)RDS(ON)
VGS=10V,ID=40A

3.24.5
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(125℃)
56.8
正向跨導(dǎo)gfsVDS=25V,ID=40A100165
S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

12100
pF
輸出電容Coss
2000
反向傳輸電容Crss
480
開啟延遲時(shí)間td(on)VDD=38V,ID=40A VGS=10V,RGEN=1.2Ω

20
nS
開啟上升時(shí)間tr
190
關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)
130
開啟下降時(shí)間tf
120
柵源電荷密度QgsVDS=60V,ID=40A,VGS=10V

90140nC
柵漏電和密度Qgd
140210



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