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產(chǎn)品分類

Product Categories
中低壓功率MOS管 FIR110N15ANG TO-3P
中低壓功率MOS管 FIR110N15ANG TO-3P
產(chǎn)品品牌:美國福斯特
產(chǎn)品類型:中低壓功率MOS管
產(chǎn)品型號:FIR110N15ANG
產(chǎn)品封裝:TO-3P
產(chǎn)品標題:FIR110N15ANG TO-3P 福斯特功率MOSFET N溝道增強型MOS管
咨詢熱線:0769-89027776

產(chǎn)品詳情


FIR110N15ANG TO-3P 福斯特功率MOSFET N溝道增強型MOS管



FIR110N15ANG的極限值:

參數(shù)符號數(shù)值單位
漏極-源極電壓VDSS150V
柵極-源極電壓VGS±20V
漏極電流-連續(xù)ID110A
漏極電流-連續(xù) TC=100℃80
漏極電流-脈沖IDM390A
功耗PD385W
單脈沖雪崩能量EAS1800mJ
工作結(jié)溫和存儲溫度范圍TJ,TSTG-55~175





FIR110N15ANG的電特性:

參數(shù)
符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA150160
V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=150V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±200nA
柵極開啟電壓VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=40A
1013
正向跨導(dǎo)gfsVDS=50V,ID=40A50

S
輸入電容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

16500
pF
輸出電容Coss
1344
反向傳輸電容Crss
1025
開啟延遲時間td(on)VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω VGS=10V,RG=2.5Ω
20
nS
開啟上升時間tr
130
關(guān)斷延遲時間td(off)
50
開啟下降時間tf
60
柵源電荷密度QgsVDS=30V,ID=30A,VGS=10V
79
nC
柵漏電和密度Qgd
118



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