EMD04N08E TO-220 N溝道MOS管 杰力場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-09-08 16:58:19點(diǎn)擊：6次

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  EMD04N08E TO-220 N溝道MOS管 杰力場效應(yīng)管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的極限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：80V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±30V

  • 漏極電流-連續(xù) (T_C=25℃) I_D：160A

  • 漏極電流-連續(xù) (T_C=100℃) I_D：126A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：540A

  • 雪崩電流 I_AS：90A

  • 雪崩能量 E_AS：405mJ

  • 重復(fù)雪崩能量 E_AR：202mJ

  • 功耗 (T_C=25℃) P_D：250W

  • 功耗 (T_C=100℃) P_D：100W

  • 結(jié)溫和存儲溫度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的電特性(除非有特殊要求，T_J=25℃)：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	80			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	2	3	4
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±30V	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=64V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=60V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=50A	RDS(ON)		4.1	4.6	mΩ
  正向跨導(dǎo)	gfs		60		S
  輸入電容	Ciss		5548		pF
  輸出電容	Coss		557
  反向傳輸電容	Crss		29
  柵源電荷密度	Qgs		38		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		8.5
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		80		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		150
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		100
  開啟下降時(shí)間	tf		170

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMD04N08E的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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