4A單向可控硅 X0405的封裝管腳及參數

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-07-17 14:40:35點擊：6次

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  4A單向可控硅 X0405的封裝管腳及參數

  
  

  
  

  4A單向可控硅 X0405的引腳圖：

        

  
  

  
  

  4A單向可控硅 X0405的應用：

          X0405可控硅應用于：脈沖點火器、負離子發(fā)生器、邏輯電路驅動、直發(fā)器、調光開關、咖啡壺、LED 控制器等等。

  
  

  
  

  4A單向可控硅 X0405的特點：

  • PNPN 四層結構的硅單向器件

  • 門極靈敏觸發(fā)

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-126、TO-252、TO-202B
    

  
  

  
  

  4A單向可控硅 X0405的極限值：

  • 斷態(tài)重復峰值電壓 V_DRM/V_RRM ------------------------------------------ 600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) --------------------------------------------------- 4A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt ------------------------------------------------ 50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ---------------------------------------------------------- 1.2A

  • 門極峰值功率 P_GM --------------------------------------------------------- 1W

  • 門極平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------------- 0.2W

  • 存儲溫度 T_STG -------------------------------------------------------------- -40~+150℃

  • 工作結溫 T_J ------------------------------------------------------------------ -40~+110℃
    

  
  

  
  

  4A單向可控硅 X0405的電特性：

  符號	參數	數值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	10~200	μA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	0.65	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2	V
  IH	維持電流	5	mA
  IL	擎住電流	6	mA
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	1.55	V

  
  

  
  

  4A單向可控硅 X0405的參數特性參數：

  

  
  

  
  

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