使用雙向可控硅有哪些原則？

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-07-07 15:31:05點(diǎn)擊：6次

•      雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。那么使用雙向可控硅有哪些原則？

          

       1、為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），要有門(mén)極電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件要滿(mǎn)足，并按可能遇到低的溫度考慮。

  
  

       2、要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的運(yùn)行溫度下要滿(mǎn)足上述條件。

  
  

       3、設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）。

  
  

       4、為減少雜波吸收，門(mén)極連線(xiàn)長(zhǎng)度降低。返回線(xiàn)直接連至MT1（或陰極）。若用硬線(xiàn)，用螺旋雙線(xiàn)或屏蔽線(xiàn)。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

  
  

       5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

  
  

       6、假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

  
  

       7、選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以的大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

  
  

       8、若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

  
  

       9、器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線(xiàn)。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

  
  

       10、為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。

  
  

  
  

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