貼片雙向可控硅 T1235 TO-263 可控硅中文資料

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-05-22 10:53:43點擊：6次

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  貼片雙向可控硅 T1235 TO-263 可控硅中文資料

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的特點：

  • NPNPN 五層結構的硅雙向器件

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結溫高，換向能力強

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-263
    

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的引腳圖：

  

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的應用：

          加熱控制器、馬達調速控制器、麻將機、攪拌機、直發(fā)器、面包機等家用電器
  

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的極限值：

  • 斷態(tài)重復峰值電壓 V_DRM/V_RRM：600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(TMS)：12A

  • 通態(tài)不重復浪涌電流 I_TSM：120A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt：50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM：4A

  • 門極平均功率 P_G(AV)：1W

  • 存儲溫度 T_STG：-40~+150℃

  • 工作結溫 T_j：-40~+125℃
    

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的電特性：

  符號	參數	數值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤35	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤35	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤50
  	擎住電流 II	≤60
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥500	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5	μA
  	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤1	mA

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的參數特性曲線：

  

  
  

  
  

  貼片雙向可控硅 T1235的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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