貼片式MOSFET EMB12N10G SOP-8 12A場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-04-14 17:56:05點(diǎn)擊：6次

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  貼片式MOSFET EMB12N10G SOP-8 12A場效應(yīng)管

  
  

  
  

  一、EMB12N10G的腳位圖：

  

  
  

  
  

  二、EMB12N10G的極限值(除非有特殊說明，T_A=25℃)：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	100	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃	ID	12	A
  漏極電流-連續(xù) TA=100℃		7.3
  漏極電流-脈沖	IDM	48
  雪崩電流	IAS	12
  雪崩能量	EAS	7.2	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	3.6
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  結(jié)溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  三、EMB12N10G的電特性：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	100			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	2	3
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=70V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A	RDS(ON)		10	12	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A			13.5	17
  正向跨導(dǎo)	gfs		45		S
  輸入電容	Ciss		2130		pF
  輸出電容	Coss		336
  反向傳輸電容	Crss		29
  柵源電荷密度	Qgs		10		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		8.2
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		6		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		10
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		8
  開啟下降時(shí)間	tf		25

  
  

  
  

  四、EMB12N10G的封裝外形尺寸：
  

  

  
  

  
  

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